メインストリームNVMe SSDの新たな基準を打ち立てる
U.3、M.2、E1.Sフォームファクタの採用により、ほとんどの主要なプラットフォーム機能をサポートします。
7,000
MB/秒
シーケンシャルパフォーマンス
1.1M
IOPS2
ランダムパフォーマンス
99.9999%
サービス品質(QoS)
1ミリ秒未満のレイテンシー1
232
層NAND
世界最先端のNANDテクノロジー2
ワークロードを加速
データとインサイトの流れをスムーズにする効率的なエコシステムを構築します。
OLTPによる大量のデータ処理
大規模なトランザクションを効率的に処理
クラウドストレージ
多様なワークロードに対応するスケーラブルなソリューション
ビッグデータ
大規模なデータセットを処理するための高速ストレージ
オブジェクトストレージ
非構造化データの処理に対応する高いスループットと応答性
最先端の機能
Micron® 7500 NVMe™ SSDは、機能の最適なバランスを実現しています。
電力損失保護
セキュア消去/セキュアブート
5年間の限定保証3
エンタープライズデータパスの保護
ハードウェアの信頼の基点(RoT)、セキュア署名入りファームウェア
リセットなしのファームウェア起動
ガベージコレクションによるTRIMサポート
7500 NVMe SSDを選ぶ理由
パフォーマンスの向上
最新のセキュリティに対応するとともに、性能の向上を実現します4。
レイテンシーの短縮
リアルタイムアナリティクス、コンテンツ配信、OLTPの応答性を確保します。
ワークロードを加速
AI、データベース、クラウドコンピューティングの背後で動作するプロセスを強化します。
仕様
多様なワークロードに対応する優れたパフォーマンスを実現し、Open Compute Project(OCP)を幅広くサポートしています。
容量 | 960GB | 1.92TB | 3.84TB | 7.68TB | 15.36TB |
---|---|---|---|---|---|
シーケンシャル読み取り(MB/秒) | 6,800 | 6,800 | 6,800 | 7,000 | 7,000 |
シーケンシャル書き込み(MB/秒) | 1,400 | 2,700 | 5,300 | 5,900 | 5,900 |
ランダム読み取り(KIOPS) | 800 | 1,000 | 1,100 | 1,100 | 1,100 |
ランダム書き込み(KIOPS) | 85 | 145 | 180 | 215 | 250 |
70/30ランダム読み取り/書き込み(IOPS) | 130 | 260 | 350 | 450 | 530 |
レイテンシー(Typ、µs)8 | 70(読み取り) 15(書き込み) |
70(読み取り) 15(書き込み) |
70(読み取り) 15(書き込み) |
70(読み取り) 15(書き込み) |
70(読み取り) 15(書き込み) |
ランダム4K | 1,752 | 3,504 | 7,008 | 14,016 | 28,032 |
インターフェース | PCIe Gen4 1x4、NVMe(v2.4b) | ||||
NAND | マイクロン製の200層以上の3D TLC NAND | ||||
MTTF | MTTF:0~55°Cの環境で200万時間、0~50°Cの環境で250万時間 | ||||
UBER | 1018ビットの読み取りあたり1セクター未満< | ||||
保証 | 5年間 | ||||
電力 | シーケンシャル読み取り(平均RMS値):15.5W(PROおよびMAX) シーケンシャル書き込み(平均RMS値):18.3W(PROおよびMAX) |
||||
動作時温度 | 0~70°C(脚注:SMARTの温度が77°Cを超えるとパフォーマンスは低下します) |
容量 | 800GB |
1.6TB |
3.2TB |
6.4TB |
12.8TB |
---|---|---|---|---|---|
シーケンシャル読み取り(MB/秒) | 6,800 | 6,800 | 6,800 | 7,000 | 7,000 |
シーケンシャル書き込み(MB/秒) | 1,400 | 2,700 | 5,300 | 5,900 | 5,900 |
ランダム読み取り(KIOPS) | 800 | 1,000 | 1,100 | 1,100 | 1,100 |
ランダム書き込み(KIOPS) | 145 |
270 | 390 | 400 | 410 |
70/30ランダム読み取り/書き込み(IOPS) | 200 | 370 | 510 | 650 | 700 |
レイテンシー(Typ、µs)8 | 70(読み取り) 15(書き込み) |
70(読み取り) 15(書き込み) |
70(読み取り) 15(書き込み) |
70(読み取り) 15(書き込み) |
70(読み取り) 15(書き込み) |
ランダム4K | 4,380 |
8,760 |
17,520 | 35,040 |
70,080 |
インターフェース | PCIe Gen4 1x4、NVMe(v2.4b) | ||||
NAND | マイクロン製の200層以上の3D TLC NAND | ||||
MTTF | MTTF:0~55°Cの環境で200万時間、0~50°Cの環境で250万時間 | ||||
UBER | 1018ビットの読み取りあたり1セクター未満< | ||||
保証 | 5年間 | ||||
電力 | シーケンシャル読み取り(平均RMS値):15.5W(PROおよびMAX) シーケンシャル書き込み(平均RMS値):18.3W(PROおよびMAX) |
||||
動作時温度 | 0~70°C(脚注:SMARTの温度が77°Cを超えるとパフォーマンスは低下します) |
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注:記載されている数値はすべて参考値であり、保証値ではありません。保証については、https://www.micron.com/sales-support/sales/returns-and-warrantiesを参照するか、マイクロンの営業担当者にお問い合わせください。これらの数値は、指定された転送のサイズと種類における理論上の最大耐久性を表します。耐久性はワークロードによって異なります。性能値は25Wで測定しています。